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1.手动型:操作简单,适合实验室小批量使用。
2.半自动型:支持程序控制,可设定多步工艺流程。
3.全自动型:集成机械手,用于洁净室生产线,实现晶圆自动上下料。
1.旋转速度:常见范围100~10,000 rpm,精度可达±1 rpm。
2.加速度控制:可调加速度,影响成膜均匀性。
3.基片尺寸:支持2英寸、4英寸、6英寸、8英寸硅片,也可定制更大或非标尺寸。
4.控制系统:程序化控制多步工艺(如预旋、主旋、延时滴胶等)。
5.真空吸附:通过真空将基片牢固固定在旋转平台上。
6.材料兼容性:适用于光刻胶、PMMA、PDMS、染料、聚合物溶液等。
7.环境控制:部分高端机型配备洁净罩、温湿度控制或惰性气体保护。
1.操作环境应保持洁净(如洁净室或层流罩内),避免尘埃污染。
2.光刻胶需过滤后使用,防止颗粒堵塞喷嘴或影响成膜质量。
3.定期清洁旋转盘和真空管道,防止胶体堆积。
4.高速旋转时严禁打开盖子,确保安全。
1.滴胶:将适量的光刻胶滴在基片表面中心。
2.低速旋转(铺展阶段):以较低转速(如500–1000 rpm)旋转,使胶液初步铺开。
3.高速旋转(匀胶阶段):加速至高转速(如2000–6000 rpm),离心力将多余的胶甩出,留下均匀的薄层。
4.干燥:旋转结束后,溶剂挥发,形成固态薄膜。
5.后处理:通常还需进行前烘(Pre-bake/Soft Bake)以去除残留溶剂。
1.半导体制造:光刻工艺中的涂胶环节。
2.微机电系统(MEMS):微结构加工前的薄膜制备。
3.纳米压印(Nanoimprint Lithography):模板涂胶。
4.光学器件:抗反射涂层、滤光片制备。
5.太阳能电池:功能层涂布。
6.科研实验:高校与研究所用于材料表面改性、传感器制备等。
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