导体场效应晶体管阅读：579

    IDSS—饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
    Up—夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
    Ut—开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
    gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放大能力的重要参数.
    BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
    PDSM—最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
    IDSM—最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
    Cds---漏-源电容
    Cdu---漏-衬底电容
    Cgd---栅-源电容
    Cgs---漏-源电容
    Ciss---栅短路共源输入电容
    COSS---栅短路共源输出电容
    CRSS---栅短路共源反向传输电容
    D---占空比(占空系数，外电路参数)
    di/dt---电流上升率(外电路参数)
    dv/dt---电压上升率(外电路参数)
    ID---漏极电流(直流)
    IDM---漏极脉冲电流
    ID(on)---通态漏极电流
    IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
    IDS---漏源电流
    IDSM---最大漏源电流
    IDSS---栅-源短路时，漏极电流
    IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
    IG---栅极电流(直流)
    IGF---正向栅电流
    IGR---反向栅电流
    IGDO---源极开路时，截止栅电流
    IGSO---漏极开路时，截止栅电流
    IGM---栅极脉冲电流
    IGP---栅极峰值电流
    IF---二极管正向电流
    IGSS---漏极短路时截止栅电流
    IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
    IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
    Iu---衬底电流
    Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
    gfs---正向跨导
    Gp---功率增益
    Gps---共源极中和高频功率增益
    gpg---共栅极中和高频功率增益
    GPD---共漏极中和高频功率增益
    ggd---栅漏电导
    gds---漏源电导
    K---失调电压温度系数
    Ku---传输系数
    L---负载电感(外电路参数)
    LD---漏极电感
    Ls---源极电感
    rDS---漏源电阻
    rDS(on)---漏源通态电阻
    rDS(of)---漏源断态电阻
    rGD---栅漏电阻
    rgs---栅源电阻
    Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
    RL---负载电阻(外电路参数)
    R(th)jc---结壳热阻
    R(th)ja---结环热阻
    PD---漏极耗散功率
    PDM---漏极最大允许耗散功率
    PIN--输入功率
    POUT---输出功率
    PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
    to(on)---开通延迟时间
    td(off)---关断延迟时间
    ti---上升时间
    ton---开通时间
    toff---关断时间
    tf---下降时间
    trr---反向恢复时间
    Tj---结温
    Tjm---最大允许结温
    Ta---环境温度
    Tc---管壳温度
    Tstg---贮成温度
    VDS---漏源电压(直流)
    VGS---栅源电压(直流)
    VGSF--正向栅源电压(直流)
    VGSR---反向栅源电压(直流)
    VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
    VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
    Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
    VGS(th)---开启电压或阀电压
    V(BR)DSS---漏源击穿电压
    V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压
    VDS(on)---漏源通态电压
    VDS(sat)---漏源饱和电压
    VGD---栅漏电压(直流)
    VSU---源衬底电压(直流)
    VDU---漏衬底电压(直流)
    VGu---栅衬底电压(直流)
    Zo---驱动源内阻
    η---漏极效率(射频功率管)
    Vn---噪声电压
    aID---漏极电流温度系数
    ards---漏源电阻温度系数

    按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
    按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
    场效应晶体管可分为：结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

    场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
    场效应管可以用作电子开关。
    场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源。

    具有输入电阻高(100000000～1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。