IGBT静态参数测试仪阅读：24

　　IGBT静态参数测试仪通常基于半导体参数分析仪的原理构建，主要由以下模块组成：

　　1.高精度源表(SMU-Source Measure Unit)：

　　能够精确输出微安级到百安级的电流，并同步测量毫伏级到千伏级的电压。

　　具备“恒流源”和“恒压源”两种模式，用于控制测试条件。

　　2.高压发生模块：

　　为测试V _CES等参数提供高达600V、1200V甚至3300V的高压。

　　3.温度控制模块(可选但常见)：

　　许多高端静态测试仪配备温控台（Hot/Cold Plate），因为IGBT的静态参数（特别是V _CE(sat)和V _GE(th)）对温度非常敏感，必须在标准温度（如25℃,125℃）下测试才具有可比性。

　　4.自动切换矩阵(Switch Matrix)：

　　用于多通道并行测试，提高产线效率。

　　5.安全保护电路：

　　防止过流、过压损坏被测件或仪器本身。

　　1.电压等级匹配：必须选择耐压等级高于被测IGBT额定电压的仪器（例如，测1200V IGBT，仪器至少需支持1500V以上）。

　　2.电流容量：根据测试需求，V _CE(sat)通常需要较大的测试电流（如10A,50A,100A甚至更高），需确认仪器的电流输出能力。

　　3.四线测量(Kelvin Connection)：为了消除测试线电阻对低压大电流测量的影响（特别是测mV级的V _CE(sat)），仪器必须支持四线制连接。

　　4.温度稳定性：如果需要对比不同批次的数据，必须严格控制测试时的环境温度或使用温控夹具。

　　5.ESD防护：IGBT的栅极极其脆弱，测试过程中必须做好静电防护，避免意外击穿栅极氧化层。

　　1.晶圆制造与封装厂(Fab&Assembly)：

　　作为在线测试(CP/WAT)的一部分，在芯片切割后、封装前进行全检，剔除不良品。

　　2.模块组装厂(Module Makers)：

　　对IGBT模块进行终检(FT)，确保每个模块的V _CE(sat)和V _th符合客户规格，保证批量一致性。

　　用户端质检(Incoming Quality Control)：

　　变频器、逆变器制造商在采购IGBT模块时，进行抽样测试，防止买到劣质品导致设备故障。

　　3.失效分析(FA)：

　　当IGBT在应用中损坏时，实验室使用静态测试仪复测其参数，判断是过压击穿、过热损坏还是栅极氧化层失效。