万用表/多用表电流表/钳形电流表电压表电源电能表校验装置无功功率表功率表电桥电能质量分析仪功率因数表电能（度）表介质损耗测试仪试验变压器频率表相位表同步指示器电阻表（阻抗表）电导表磁通表外附分流器 更多>>
流量检测仪表物位检测仪表记录/显示仪表机械量检测仪表温度检测仪表执行器显示控制仪表压力检测仪表过(流)程分析/控制仪表过程仪表阀门透视仪工业酸度计溶氧仪超声界面计校验仪仿真器其他工业自动化仪表 更多>>
检漏仪电火花检测（漏）仪超声检测仪其它探伤仪金属探测仪涂层检测仪其它硬度计测振仪频闪仪动平衡仪涂层测厚仪超声波测厚仪橡胶塑料测厚仪壁厚测厚仪塑料薄膜片测厚仪镀层测厚仪其它测厚仪维氏硬度计洛氏硬度计布氏硬度计 更多>>
硅温度传感器，当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定。
某些硅温度传感器产生模拟电压输出（VPTAT，即与温度成正比的电压），而其他的温度传感器则将VPTAT转换为电流输出。
在数字输出温度传感器中，放大检测晶体管的VBE，然后与带隙基准电压比较，并将结果输入到Σ-Δ或逐次逼近寄存器ADC中转换为数字输出，精度可以是13bit或16bit，其中有效位被用作符号位。
一种可替换的数字输出方案是采用脉宽调制（PWM），其温度和脉冲的导通与截止时间的比例成正比。由于导通时间是固定的，因此这些传感器可以按照需要执行单次测量以使功耗最小。
当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，为- 2mV /℃，但是对于不同的晶体管，VBE变化的值也不同。为了补偿这种变化，可以在不同的IE值下比较ΔVBE。
