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异质结双极晶体管（Heterojunction bipolar transistor,HBT）是在双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT)的基础上，只是把发射区改用宽带隙的半导体材料，即同质的发射结采用了异质结来代替。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。它是由发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。它最初称为“宽发射区”晶体管，直到70年代中期，这种晶体管才得到较快的发展。
异质结双极性二极管（HBT）的能带间隙在一定范围内可以任意设计，从这器件各区带隙宽度变化角度出发，可以考虑如下几种情况：
（1）宽带隙发射区结构 （2）缓变基区结构 （3）宽带隙集电区结构 （4）缓变集电区结构
从器件高速性能设计角度考虑，HBT有代表性的四种结构为：
（1）突变发射结结构（2）缓变发射结结构（3）缓变发射结、缓变基区结构（4）突变发射结、缓变基区结构
1、基区可以高掺杂 (可高达1020/cm3)，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小 (则不限制器件尺寸的缩小)；
2、因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高；
3、基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大；
4、基区电荷对C结电压不敏感，则Early电压得以提高；
5、发射区可以低掺杂 ( 如1017/cm3)，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率fT提高；
6、可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有内建电场，从而载流子渡越基区的时间τB得以减短。
异质结双极晶体管类型很多,主要有以下几种：
1、SiGe异质结双极晶体管
2、GaAlAs/GaAs异质结晶体管
3、NPN型InGaAsP／InP异质结双极晶体管
4、NPN AlGaN/GaN异质结双极晶体管等。
1951年，Shockley针对普通双极晶体管较难做到超高频、超高速的问题，提出了宽带隙发射区的概念。1957年，Kroemer根据扩散模型分析了宽带隙发射区对提高电流放大系数的作用。上世纪70年代中期，随着MBE和MOCVD技术的发展，制作出了性能良好的AlGaAs/GaAs异质结双极型晶体管。目前，HBT在低相位噪声振荡器、高效率功率放大器、宽带放大器中都有广泛的应用。
